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参数目录41161
> IPP114N12N3 G MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
型号:
IPP114N12N3 G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IPP114N12N3 G PDF
标准包装
500
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
11.4 毫欧 @ 75A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 83µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4310pF @ 60V
功率 - 最大
136W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
PG-TO220-3
包装
管件
其它名称
SP000652740
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